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宜特抢进 3D IC检测
2021-02-20 14:26:46
电子产品验证服务商宜特(3289)与子公司上海宜硕,获选进入IEEE等级、半导体故障分析领域的集成电路失效分析论坛IPFA 2013发表研究成果。宜特此次将以IC质量为主轴,分别探讨「3DIC微凸块失效观察」、「IC电磁辐射消除」、「EOS 脉冲波过电保护」等三方面的检测能力,并将届此抢进3D IC检测市场。 在3DIC 方面,宜特研究出两种克服的方式,其一是利用研磨技术将3D IC微凸块(u-bump)失效区域定位,并搭配聚焦离子束显微镜(FIB),将其失效微凸块切削进行断面观察;其二是扩大可观察的微凸块范围,从100um提升至3000um,此两项技术亦可使用在3D IC的直通矽晶穿孔(TSV)结构观察。 在IC电磁辐射消除的研究上,宜特藉由传统与专利研发的新型FIB搭配,将任意电容值的电容放置于IC芯片上,并与IC内部的讯号节点作连结。藉此方法,客户不需重新投片,即可找到电磁辐射源头并加以消除,提供IC设计者一种CP值极高的IC EMI解决方案。 在EOS 脉冲波过电保护部份,宜特藉由脉冲波模拟不同制程的IC上电,从其产生的过度电性应力(EOS)机制进行研究,在这当中,发现EOS耐受能力与脉冲时间存在「线性关系」,同时也发现IC制程本身闸氧崩溃与电压有关。从此测试,亦可提供客户简易方式,来对元件进行抗受力测试,亦可对于元件过电保护,提供一个有效参考指标。
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